本發(fā)明涉及mbe源鋁棒制造，具體涉及一種mbe源鋁棒制備裝置以及制備方法。
背景技術(shù)：
1、鋁(aluminium)化學(xué)式al，銀白色輕金屬，常溫下，密度為2.70g/cm3，熔點(diǎn)為660℃。mbe源鋁主要用于分子束外延(mbe)。在mbe應(yīng)用中，對(duì)鋁中碳雜質(zhì)有嚴(yán)格要求，要求鋁占比不超過0.2ppmw。
2、目前mbe源鋁的主要制備方法是在氫氣、惰性氣體或真空的氛圍下進(jìn)行區(qū)熔或定向凝固。這些方法的缺點(diǎn)是：盛料容器采用石墨材料，提純過程不能有效去除超高純鋁中的碳雜質(zhì)。
3、專利cn113416854a公開了一種真空蒸餾和區(qū)熔聯(lián)用的高純鋁提純方法，其缺點(diǎn)為：采用石墨作為冷凝材料，在產(chǎn)品收集段，鋁為熔融態(tài)，易引入碳雜質(zhì)，而后續(xù)區(qū)熔工藝的除碳效果較差，最終難以得到低碳超高純鋁。
4、鑒于此，提出本申請(qǐng)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)存在的不足之處而提供一種mbe源鋁棒制備裝置以及制備方法本發(fā)明的mbe源鋁棒制備裝置，可定向去除鋁棒中的碳元素，使碳元素的含量低于0.2ppmw(重量百萬分率)，使其達(dá)到mbe鋁的要求。
2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請(qǐng)的第一方面提供了一種mbe源鋁棒制備裝置，其為固相電解裝置，包括可抽真空的電解槽、第一電極、第二電極、鋁棒和加熱器；
3、所述第一電極、第二電極位于所述電解槽的兩端，且所述第一電極、第二電極的部分伸入到所述電解槽的內(nèi)部，所述鋁棒位于第一電極、第二電極之間；
4、所述加熱器用于對(duì)所述鋁棒進(jìn)行加熱，且所述加熱器與所述電解槽可相互分離設(shè)置。
5、作為本申請(qǐng)的實(shí)施方案，所述電解槽的兩端通過兩端的水冷法蘭進(jìn)行密封。
6、作為本申請(qǐng)的實(shí)施方案，所述電解槽上開有真空接口。
7、作為本申請(qǐng)的實(shí)施方案，所述第一電極為無氧銅電極，所述第二電極為無氧銅電極。
8、本申請(qǐng)的第二方面提供了一種mbe源鋁棒制備方法，基于上述所述的mbe源鋁棒制備裝置，包括以下步驟：
9、將鋁棒置于第一電極和第二電極之間；
10、抽真空；
11、通過外接電源對(duì)所述第一電極、第二電極施加電流；
12、加熱，對(duì)鋁棒靠近陽極端的一端進(jìn)行去除，去除長度占鋁棒總長度的15～25％，得到mbe源鋁棒。
13、作為本申請(qǐng)的實(shí)施方案，所述鋁棒的純度為5n～7n。
14、作為本申請(qǐng)的實(shí)施方案，抽真空至真空度≤0.001pa。
15、作為本申請(qǐng)的實(shí)施方案，所述電流為200～400a。
16、作為本申請(qǐng)的實(shí)施方案，所述加熱溫度為450～630℃。
17、作為本申請(qǐng)的實(shí)施方案，所述加熱時(shí)間為100～300h。
18、本發(fā)明的有益效果在于：本發(fā)明的mbe源鋁棒制備裝置，可定向去除鋁棒中的碳元素，使碳元素的含量低于0.2ppmw(重量百萬分率)，使其達(dá)到mbe鋁的要求。
1.一種mbe源鋁棒制備裝置，其為固相電解裝置，其特征在于，包括可抽真空的電解槽、第一電極、第二電極、鋁棒和加熱器；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mbe源鋁棒制備裝置，其特征在于，所述電解槽的兩端通過兩端的水冷法蘭進(jìn)行密封。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mbe源鋁棒制備裝置，其特征在于，所述電解槽上開有真空接口。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mbe源鋁棒制備裝置，其特征在于，所述第一電極為無氧銅電極，所述第二電極為無氧銅電極。
5.一種mbe源鋁棒制備方法，其特征在于，基于權(quán)利要求1～4任一所述的mbe源鋁棒制備裝置，包括以下步驟：
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的mbe源鋁棒制備方法，其特征在于，所述鋁棒的純度為5n～7n。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的mbe源鋁棒制備方法，其特征在于，抽真空至真空度≤0.001pa。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的mbe源鋁棒制備方法，其特征在于，所述電流為200～400a。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的mbe源鋁棒制備方法，其特征在于，所述加熱溫度為450～630℃。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的mbe源鋁棒制備方法，其特征在于，所述加熱時(shí)間為100～300h。