技術(shù)特征：

1.一種多孔的低介電性聚合物膜，其特征在于，在由聚合物構(gòu)成的膜中分散形成有微細(xì)的孔隙，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多孔的低介電性聚合物膜，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多孔的低介電性聚合物膜，其中，在所述多孔的低介電性聚合物膜的至少一面具有由所述可溶性液晶聚合物構(gòu)成的表層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多孔的低介電性聚合物膜，其中,所述多孔的結(jié)構(gòu)為獨(dú)泡結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多孔的低介電性聚合物膜，其中，所述可溶性液晶聚合物為包含下述式（1）所示的結(jié)構(gòu)單元、下述式（2）所示的結(jié)構(gòu)單元、以及下述式（3）所示的結(jié)構(gòu)單元的聚合物，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多孔的低介電性聚合物膜，其中，所述可溶性液晶聚合物具有聚合性不飽和基團(tuán)、聚合性不飽和基團(tuán)反應(yīng)后的結(jié)構(gòu)以及酰亞胺鍵中的至少任一種。

技術(shù)總結(jié)
一種多孔的低介電性聚合物膜，其為在由聚合物構(gòu)成的膜中分散形成有微細(xì)的孔隙的多孔的低介電性聚合物膜，其中，孔隙率為60%以上，所述孔隙的平均孔徑為60μm以下，所述聚合物為可溶性液晶聚合物。

技術(shù)研發(fā)人員：永見直斗
受保護(hù)的技術(shù)使用者：日東電工株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/6/19