本發(fā)明涉及多孔的低介電性聚合物膜。

背景技術：

1、液晶聚合物具有低吸濕率和低介電常數(shù)。因此，使用了液晶聚合物的液晶聚合物片材例如作為fpc（flexible?printed?circuits：柔性印刷電路）的絕緣層的利用不斷推進。

2、另一方面，樹脂等塑料材料的介電常數(shù)通常由其分子骨架決定，因此，作為降低介電常數(shù)的嘗試，考慮使分子骨架改性的方法。但是，即使是具有較低介電常數(shù)的聚乙烯，其介電常數(shù)也約為2.3，即使是聚四氟乙烯，其介電常數(shù)也約為2.1，通過其分子骨架的控制實現(xiàn)的低介電常數(shù)化存在極限。另外，由于骨架的變更，可能產(chǎn)生由塑料材料形成的膜的強度、線膨脹系數(shù)等各物性發(fā)生變化等問題。

3、作為其他低介電常數(shù)化的嘗試，提出了各種利用空氣的介電常數(shù)為1，使塑料材料多孔化，通過其孔隙率來控制介電常數(shù)的方法。

4、例如，在專利文獻1中，作為用于電子設備等的印刷電路基板、旋轉(zhuǎn)機的槽絕緣等的具有耐熱性的低介電常數(shù)塑料絕緣膜，公開了一種低介電常數(shù)塑料絕緣膜，其特征在于，包含孔隙率為10vol%以上的多孔塑料，耐熱溫度為100℃以上，且介電常數(shù)為2.5以下。

5、另外，專利文獻2中公開了一種層疊體，其特征在于，作為含有可用作印刷電路板用基板的多孔性聚酰亞胺層的聚酰亞胺層與金屬箔層層疊而成的層疊體，在金屬箔的單面依次層疊有非多孔性聚酰亞胺層、多孔性聚酰亞胺層、非多孔性聚酰亞胺層，聚酰亞胺層的合計厚度為10～500 μm，且多孔性聚酰亞胺層的厚度相對于聚酰亞胺層的合計厚度為10%～90%。

6、作為以往的得到多孔聚合物的方法，有干式法、濕式法等。作為干式法，已知有物理發(fā)泡法和化學發(fā)泡法。

7、物理發(fā)泡法是將例如氯氟烴類或烴類等低沸點溶劑作為發(fā)泡劑分散在聚合物中后，通過加熱使發(fā)泡劑揮發(fā)而形成泡孔，得到多孔體的方法。

8、另外，化學發(fā)泡法是通過在聚合物中添加發(fā)泡劑并將其熱分解而產(chǎn)生的氣體來形成泡孔，得到發(fā)泡體的方法。

9、利用物理方法的發(fā)泡技術存在用作發(fā)泡劑的物質(zhì)的有害性、臭氧層的破壞等各種對環(huán)境的問題。另外，物理方法通常適合用于得到具有數(shù)十 μm以上的泡孔直徑的發(fā)泡體，難以得到微細且具有均勻的泡孔直徑的發(fā)泡體。

10、另一方面，利用化學方法的發(fā)泡技術在發(fā)泡后，產(chǎn)生氣體的發(fā)泡劑的殘留物殘留在發(fā)泡體中的可能性高。特別是在電子構件用途等中，低污染性的要求高，因此有時由腐蝕性氣體、雜質(zhì)導致的污染成為問題。

11、進而，作為得到泡孔直徑小且泡孔密度高的多孔體的方法，提出了如下方法：使氮氣、二氧化碳等不活潑性氣體在高壓下溶解于聚合物中后，釋放壓力，加熱至聚合物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度、軟化點附近，由此形成氣泡。該發(fā)泡方法具有如下優(yōu)點：從熱力學不穩(wěn)定的狀態(tài)形成核，形成的核膨脹成長，由此形成氣泡，可得到迄今為止沒有的微孔質(zhì)的發(fā)泡體。

12、例如，專利文獻3中，作為可用作電子設備等的電路基板的、具有微細氣泡且介電常數(shù)低的具有耐熱性的多孔體的制造方法，公開了一種多孔體的制造方法，其特征在于，從具有在聚合物的連續(xù)相中分散有平均直徑小于10 μm的非連續(xù)相的微相分離結(jié)構的聚合物組合物中，通過選自蒸發(fā)和分解中的至少1種操作和提取操作除去構成所述非連續(xù)相的成分，進行多孔化，其中，作為構成非連續(xù)相的成分的提取溶劑，使用液化二氧化碳或處于超臨界狀態(tài)的二氧化碳。

13、另外，專利文獻4中，作為可用作電子設備等的電路基板的、具有微細的泡孔結(jié)構的具有耐熱性的多孔聚酰亞胺的制造方法，公開了一種多孔聚酰亞胺的制造方法，其特征在于，是從具有微相分離結(jié)構的聚合物組合物中除去分散性化合物b后，將聚酰亞胺前體a轉(zhuǎn)化為聚酰亞胺而制造多孔聚酰亞胺的方法，所述微相分離結(jié)構是在包含聚酰亞胺前體a的連續(xù)相中分散有包含分散性化合物b的平均直徑小于10 μm的非連續(xù)相而成的，所述聚酰亞胺前體a與分散性化合物b的相互作用參數(shù)χab為3＜χab，其中，使用超臨界二氧化碳作為分散性化合物b的提取溶劑。

14、現(xiàn)有技術文獻

15、專利文獻

16、專利文獻1：日本特開平9-100363號公報

17、專利文獻2：日本特開2012-101438號公報

18、專利文獻3：日本特開2001-081225號公報

19、專利文獻4：日本特開2002-146085號公報

技術實現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的技術問題

2、本發(fā)明的目的在于提供具有低介電常數(shù)的多孔的低介電性聚合物膜。

3、用于解決技術問題的技術方案

4、即，本發(fā)明包括以下內(nèi)容。

5、[1]一種多孔的低介電性聚合物膜，其為在由聚合物構成的膜中分散形成有微細的孔隙的多孔的低介電性聚合物膜，

6、孔隙率為60%以上，

7、所述孔隙的平均孔徑為60 μm以下，

8、所述聚合物為可溶性液晶聚合物。

9、[2]根據(jù)[1]所述的多孔的低介電性聚合物膜，其中，在將所述多孔的低介電性聚合物膜在厚度方向上3等分，將在遠離最表面的方向上依次配置的區(qū)域設為第一區(qū)域至第三區(qū)域時，所述第一區(qū)域的平均孔徑a1相對于所述第三區(qū)域的平均孔徑a3之比（a1/a3）和所述第三區(qū)域的平均孔徑a3相對于所述第一區(qū)域的平均孔徑a1之比（a3/a1）中的1以下的比為0.5～1。

10、[3]根據(jù)[1]或[2]所述的多孔的低介電性聚合物膜，其中，在所述多孔的低介電性聚合物膜的至少一面具有由所述可溶性液晶聚合物構成的表層。

11、[4]根據(jù)[1]至[3]中任一項所述的多孔的低介電性聚合物膜，其中，所述多孔的結(jié)構為獨泡結(jié)構。

12、[5]根據(jù)[1]至[4]中任一項所述的多孔的低介電性聚合物膜，其中，所述可溶性液晶聚合物為包含下述式（1）所示的結(jié)構單元、下述式（2）所示的結(jié)構單元和下述式（3）所示的結(jié)構單元的聚合物。

13、[化1]

14、

15、（式（1）中，ar1表示1,4-亞苯基、2,6-亞萘基或4,4′-亞聯(lián)苯基。

16、式（2）中，ar2表示1,4-亞苯基、1,3-亞苯基、4,4′-亞聯(lián)苯基、2,6-亞萘基或下述式（q）所示的基團。

17、式（3）中，ar3表示1,4-亞苯基、1,3-亞苯基、2,6-亞萘基或下述式（q）所示的基團，x表示-nh-或-o-，y表示-nh-或-o-。

18、表示結(jié)合鍵。）

19、[化2]

20、

21、（式（q）中，ar11和ar12各自獨立地表示亞苯基或亞萘基，q表示-o-、-c（＝o）-或-s（＝o）2-。表示結(jié)合鍵。）

22、[6]根據(jù)[5]所述的多孔的低介電性聚合物膜，其中，所述可溶性液晶聚合物具有聚合性不飽和基團、聚合性不飽和基團反應后的結(jié)構和酰亞胺鍵中的至少任一種。

23、發(fā)明效果

24、根據(jù)本發(fā)明，能夠提供具有低介電常數(shù)的多孔的低介電性聚合物膜。