本公開(kāi)涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光元件。
背景技術(shù)：
1、例如日本特開(kāi)2018-174238號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)1)中記載有一種半導(dǎo)體發(fā)光元件。專利文獻(xiàn)1中記載的半導(dǎo)體發(fā)光元件具有基板和半導(dǎo)體層?；寰哂械?主表面和作為第1主表面的相反面的第2主表面。半導(dǎo)體層具有配置于第1主表面上的n型半導(dǎo)體層、配置于n型半導(dǎo)體層上的活性層和配置于活性層上的p型半導(dǎo)體層。半導(dǎo)體層具有臺(tái)面構(gòu)造。自活性層產(chǎn)生深紫外光。在第2主表面的整個(gè)面形成有凹凸構(gòu)造。
2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
3、專利文獻(xiàn)
4、專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2018-174238號(hào)公報(bào)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、發(fā)明要解決的問(wèn)題
2、在專利文獻(xiàn)1所記載的半導(dǎo)體發(fā)光元件中，自第2主表面的與臺(tái)面構(gòu)造相對(duì)的部分射出的出射光的強(qiáng)度變?nèi)酰@是新發(fā)現(xiàn)的見(jiàn)解。本公開(kāi)基于這樣的見(jiàn)解，提供進(jìn)一步提高了深紫外光的提取效率的半導(dǎo)體發(fā)光元件。
3、用于解決問(wèn)題的方案
4、本公開(kāi)的半導(dǎo)體發(fā)光元件具備基板和半導(dǎo)體層?；寰哂械?主表面和作為第1主表面的相反面的第2主表面。半導(dǎo)體層具有：n型半導(dǎo)體層，其配置于第1主表面上；活性層，其配置于n型半導(dǎo)體層上且產(chǎn)生深紫外光；以及p型半導(dǎo)體層，其配置于活性層上。半導(dǎo)體層具有臺(tái)面構(gòu)造。第2主表面具有與臺(tái)面構(gòu)造相對(duì)的第1區(qū)域和位于第1區(qū)域的周?chē)牡?區(qū)域。第1區(qū)域由平坦面構(gòu)成。在第2區(qū)域形成有凹凸構(gòu)造。在平面視角下，第1區(qū)域的寬度為臺(tái)面構(gòu)造的寬度的0.1倍以上且3.0倍以下。
5、發(fā)明的效果
6、根據(jù)本公開(kāi)的半導(dǎo)體發(fā)光元件，能夠進(jìn)一步提高深紫外光的提取效率。
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，
15.一種發(fā)光組件，其中，