本公開涉及一種基板處理裝置和基板處理方法。

背景技術(shù)：

1、在將集成電路的層疊構(gòu)造形成于半導(dǎo)體晶圓(以下，稱為晶圓)等基板的表面這樣的半導(dǎo)體裝置的制造工序中，進(jìn)行化學(xué)溶液清洗或者濕蝕刻等液處理。在去除在這樣的液處理中附著到晶圓的表面的液體等之際，近年來，正在采用使用了超臨界狀態(tài)的處理流體的干燥方法。

2、在專利文獻(xiàn)1中公開有一種基板處理裝置，該基板處理裝置在由基板保持部保持著的基板的下方設(shè)置有第1流體供給部，在由基板保持部保持著的基板的側(cè)方設(shè)置有第2流體供給部。

3、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)

5、專利文獻(xiàn)1：日本特開2018-74103號公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的問題

2、本公開提供一種能夠抑制在基板的表面形成的圖案的倒塌的基板處理裝置和基板處理方法。

3、用于解決問題的方案

4、本公開的一技術(shù)方案的基板處理裝置是使用超臨界狀態(tài)的處理流體而使在表面附著有液體的基板干燥的基板處理裝置，其中，該基板處理裝置具有：處理容器，其收納所述基板；基板保持部，其在所述處理容器內(nèi)以使所述表面朝上的方式將所述基板水平地保持；流體供給部，其向所述處理容器內(nèi)供給處理流體；流體排出部，其從所述處理容器排出處理流體；以及控制部，其至少控制所述流體供給部和所述流體排出部的動(dòng)作以及由所述基板保持部保持著的所述基板的溫度，所述控制部通過控制所述流體供給部和所述流體排出部的動(dòng)作而執(zhí)行如下工序：向收納有在所述表面附著有液體的基板的所述處理容器內(nèi)供給所述處理流體而使所述處理容器內(nèi)的壓力上升到比所述處理流體的臨界壓力高的處理壓力的工序；和在所述處理容器內(nèi)的壓力上升到所述處理壓力之后，一邊將所述處理容器內(nèi)的壓力維持在使所述處理流體維持超臨界狀態(tài)的壓力，一邊向所述處理容器供給所述處理流體，并且從所述處理容器排出所述處理流體的工序，使所述處理容器內(nèi)的壓力上升到所述處理壓力的工序包括如下工序：使所述處理容器內(nèi)的壓力上升到比所述臨界壓力高、且比所述處理壓力低的第1壓力的工序；和使所述處理容器內(nèi)的壓力從所述第1壓力上升到所述處理壓力的工序，所述控制部在使所述處理容器內(nèi)的壓力升壓到所述第1壓力的工序中將所述基板的溫度控制為第1溫度，所述控制部在使所述處理容器內(nèi)的壓力升壓到所述處理壓力的工序中將所述基板的溫度控制為比所述第1溫度高的第2溫度。

5、發(fā)明的效果

6、根據(jù)本公開，能夠抑制在基板的表面形成的圖案的倒塌。

技術(shù)特征：

1.一種基板處理裝置，其是使用超臨界狀態(tài)的處理流體而使在表面附著有液體的基板干燥的基板處理裝置，其中，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置，其中，

4.一種基板處理方法，其中，

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供能夠抑制形成于基板的表面的圖案的倒塌的基板處理裝置和基板處理方法?；逄幚硌b置執(zhí)行：向收納有在表面附著有液體的基板的處理容器內(nèi)供給處理流體而使處理容器內(nèi)的壓力上升到比處理流體的臨界壓力高的處理壓力的工序；一邊將處理容器內(nèi)的壓力維持在使處理流體維持超臨界狀態(tài)的壓力，一邊向處理容器供給處理流體，并從處理容器排出處理流體的工序。在使處理容器內(nèi)的壓力上升到第1壓力的工序與向處理容器供給處理流體并且從處理容器排出處理流體的工序之間，處理流體的路徑不重復(fù)。

技術(shù)研發(fā)人員：井原亨,五師源太郎,山下剛秀
受保護(hù)的技術(shù)使用者：東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/6/19