背景技術(shù)：

1、許多半導(dǎo)體設(shè)備處理涉及膜形成，該膜包括例如硅氧化物或硅氮化物的含硅膜。等離子體增強(qiáng)原子層沉積(peald)可用于沉積含硅膜。在間隙中沉積膜時(shí)，沉積高質(zhì)量的膜可能尤其具挑戰(zhàn)性。挑戰(zhàn)可能包括在膜中形成空隙和/或接縫。

2、這里提供的背景描述是為了總體呈現(xiàn)本公開的背景的目的。當(dāng)前指定的發(fā)明人的工作在其在此背景技術(shù)部分中描述的范圍內(nèi)以及在提交申請時(shí)不能確定為現(xiàn)有技術(shù)的說明書的各方面既不明確也不暗示地承認(rèn)是針對本公開的現(xiàn)有技術(shù)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本文公開了填充結(jié)構(gòu)中間隙的方法和系統(tǒng)。在本文實(shí)施方案的一方面，提供了用于填充間隙的方法，該方法包括：在處理室中提供襯底，該襯底具有一個(gè)或更多個(gè)結(jié)構(gòu)，每一結(jié)構(gòu)包含間隙；以及執(zhí)行以下操作的第一組循環(huán)：(a)將該襯底暴露于抑制等離子體以抑制每一間隙的第一部分上的沉積，以及(b)在(a)之后，在每一間隙中沉積介電材料，其中，在該第一組循環(huán)的第一子集與第二子集期間，將該襯底暴露于該抑制等離子體進(jìn)行第一持續(xù)時(shí)間，并且在該第一組循環(huán)的該第二子集期間，修改將該襯底暴露于該抑制等離子體的至少一個(gè)非基于持續(xù)時(shí)間的參數(shù)。

2、在一些實(shí)施方案中，該非基于持續(xù)時(shí)間的參數(shù)是抑制物質(zhì)的流率、稀釋氣體的流率、壓強(qiáng)、或射頻(rf)功率。在一些實(shí)施方案中，該第一組循環(huán)的該第一子集相較于該第一組循環(huán)的該第二子集抑制該間隙中的沉積至該間隙的較大深度。在一些實(shí)施方案中，將該襯底暴露于該抑制等離子體包含：使抑制物質(zhì)流動(dòng)至該處理室中，且其中于該第一組循環(huán)的該第二子集期間的抑制物質(zhì)的流量相較于該第一組循環(huán)的該第一子集是較低的。在一些實(shí)施方案中，該第一組循環(huán)的該第一子集與該第一組循環(huán)的該第二子集之間的抑制物質(zhì)的流量差介于約1sccm與約5sccm之間。在一些實(shí)施方案中，將該襯底暴露于該抑制等離子體包含：使抑制物質(zhì)與惰性氣體共流至該處理室中，且其中于該第一組循環(huán)的該第二子集期間的抑制物質(zhì)比惰性氣體的比例相較于該第一組循環(huán)的該第一子集是較高的。在一些實(shí)施方案中，該抑制物質(zhì)包含含氮物質(zhì)。在一些實(shí)施方案中，將該襯底暴露于該抑制等離子體包含提供射頻(rf)能量至該處理室，且其中于該第一組循環(huán)的該第二子集期間的rf相較于該第一組循環(huán)的該第一子集是較低的。在一些實(shí)施方案中，該第一組循環(huán)的該第一子集與該第一組循環(huán)的該第二子集之間的rf功率差介于約50w與約700w之間。在一些實(shí)施方案中，該rf功率介于每襯底約250w與約1250w之間。在一些實(shí)施方案中，該一個(gè)或更多個(gè)結(jié)構(gòu)中的每一者具有一個(gè)或更多個(gè)內(nèi)凹特征。在一些實(shí)施方案中，在該襯底內(nèi)該內(nèi)凹特征中的至少一者具有至少10％的關(guān)鍵尺寸變化。在一些實(shí)施方案中，基于該一個(gè)或更多個(gè)結(jié)構(gòu)的該至少一個(gè)內(nèi)凹特征的該關(guān)鍵尺寸變化而修改該至少一個(gè)非基于持續(xù)時(shí)間的參數(shù)。在一些實(shí)施方案中，該內(nèi)凹特征中的至少一者在結(jié)構(gòu)之間具有至少10％的深度變化。在一些實(shí)施方案中，基于該一個(gè)或更多個(gè)結(jié)構(gòu)的該至少一個(gè)內(nèi)凹特征的該深度變化而修改該至少一個(gè)非基于持續(xù)時(shí)間的參數(shù)。在一些實(shí)施方案中，該介電材料為氧化物材料。在一些實(shí)施方案中，該氧化物材料為二氧化硅。在一些實(shí)施方案中，該方法還包含執(zhí)行以下操作的第二組循環(huán)：(a)將該襯底暴露于該抑制等離子體以抑制該間隙的第二部分上的沉積，其中，于該第二組循環(huán)的第一子集與第二子集期間，將該襯底暴露于該抑制等離子體進(jìn)行不同于該第一持續(xù)時(shí)間的第二持續(xù)時(shí)間，并且于該第二組循環(huán)的該第二子集期間，修改該抑制等離子體的該至少一個(gè)非基于持續(xù)時(shí)間的參數(shù)；以及(b)于(a)之后，在該間隙中沉積介電材料。

3、在本文實(shí)施方案的另一方面，提供一種填充間隙的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包含：處理室，以及一個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)器與一個(gè)或更多個(gè)處理器，該一個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)器被配置成具有計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令，該計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令用于控制該一個(gè)或更多個(gè)處理器以：在該處理室中提供襯底，該襯底具有一個(gè)或更多個(gè)結(jié)構(gòu)，每一結(jié)構(gòu)包含間隙；以及執(zhí)行以下操作的第一組循環(huán)：(a)將該襯底暴露于抑制等離子體以抑制每一間隙的第一部分上的沉積，以及(b)在(a)之后，在每一間隙中沉積介電材料，其中，在該第一組循環(huán)的第一子集與第二子集期間，將該襯底暴露于該抑制等離子體進(jìn)行第一持續(xù)時(shí)間，并且在該第一組循環(huán)的該第二子集期間，修改將該襯底暴露于該抑制等離子體的至少一個(gè)非基于持續(xù)時(shí)間的參數(shù)。

4、本文公開了在工具的站處填充結(jié)構(gòu)中間隙的方法和系統(tǒng)，該工具在站之間具有不同的填充速率。在本文的實(shí)施方案的另一方面，提供了一種系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括：處理室，其包含多個(gè)站；一個(gè)或更多個(gè)處理器與一個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)器，其被配置成：在該多個(gè)站中接收多個(gè)襯底，每一襯底具有包含間隙的結(jié)構(gòu)，在該站中的每一者中執(zhí)行以下操作的第一組循環(huán)：(a)將襯底暴露于抑制等離子體以抑制該間隙的第一部分上的沉積，以及(b)于(a)之后，在該間隙中沉積介電材料，以及在執(zhí)行該第一組循環(huán)后，于該多個(gè)站的第一子集的每一站中執(zhí)行以下操作的第二組循環(huán)：(c)僅在該多個(gè)站的該第一子集的站中的襯底的該間隙內(nèi)沉積介電材料。

5、在一些實(shí)施方案中，于第一組循環(huán)之后，多個(gè)站的第一子集的站中的第一襯底相較于多個(gè)襯底中的第二襯底具有介電材料的填充的較低深度。在一些實(shí)施方案中，第二襯底在不是多個(gè)站的第一子集的部分的站中。在一些實(shí)施方案中，于第二組循環(huán)之后，第一襯底具有與第二襯底基本上相等的介電材料的填充深度。在一些實(shí)施方案中，一個(gè)或更多個(gè)處理器與一個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)器還被配置成用于在(c)之前，將襯底暴露于抑制等離子體以抑制間隙的第一部分上的沉積。在一些實(shí)施方案中，一個(gè)或更多個(gè)處理器與一個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)器被進(jìn)一步配置成于不在多個(gè)站的第一子集中的一個(gè)或更多個(gè)站中不執(zhí)行(c)。在一些實(shí)施方案中，一個(gè)或更多個(gè)處理器與一個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)器被進(jìn)一步配置成于第二組循環(huán)期間使一種或更多種反應(yīng)物流動(dòng)至一個(gè)或更多個(gè)站中的每一者。在一些實(shí)施方案中，于第二組循環(huán)期間，一種或更多種反應(yīng)物不與不在多個(gè)站的第一子集中的站中的襯底反應(yīng)。在一些實(shí)施方案中，一個(gè)或更多個(gè)處理器與一個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)器被進(jìn)一步配置成于第二組循環(huán)期間提供射頻(rf)功率至多個(gè)站的第一子集，并且于第二組循環(huán)期間不提供rf功率至不在多個(gè)站的第一子集中的站。在一些實(shí)施方案中，一個(gè)或更多個(gè)處理器與一個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)器被進(jìn)一步配置成于第二組循環(huán)期間使一種或更多種反應(yīng)物流動(dòng)至多個(gè)站中的每一者。在一些實(shí)施方案中，一個(gè)或更多個(gè)處理器與一個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)器被進(jìn)一步配置成于第二組循環(huán)期間使一種或更多種反應(yīng)物流動(dòng)至多個(gè)站的第一子集，并且于第二組循環(huán)期間不使一種或更多種反應(yīng)物流動(dòng)至不在多個(gè)站的第一子集中的站。在一些實(shí)施方案中，其進(jìn)一步包括第二處理室，且其中多個(gè)站的第一子集是處理室的一部分，且不在多個(gè)站的第一子集中的站是第二處理室的一部分。

6、在本文實(shí)施方案的另一方面，提供了一種方法，該方法包含：(a)將襯底暴露于抑制等離子體以抑制該間隙的第一部分上的沉積，以及(b)于(a)之后，在該間隙中沉積介電材料，以及在執(zhí)行該第一組循環(huán)后，于該多個(gè)站的第一子集的每一站中執(zhí)行以下操作的第二組循環(huán)：(c)僅在該多個(gè)站的該第一子集的站中的襯底的該間隙內(nèi)沉積介電材料。

7、在一些實(shí)施方案中，于第一組循環(huán)之后，多個(gè)站的第一子集的站中的第一襯底相較于多個(gè)襯底中的第二襯底具有介電材料的填充的較低深度。在一些實(shí)施方案中，第二襯底在不是多個(gè)站的第一子集的部分的站中。在一些實(shí)施方案中，于第二組循環(huán)之后，第一襯底具有與第二襯底基本上相等的介電材料的填充深度。在一些實(shí)施方案中，進(jìn)一步包括：在(c)之前將襯底暴露于抑制等離子體以抑制間隙的第一部分上的沉積。在一些實(shí)施方案中，進(jìn)一步包括：于不在多個(gè)站的第一子集中的一個(gè)或更多個(gè)站中不執(zhí)行(c)。在一些實(shí)施方案中，進(jìn)一步包括：于第二組循環(huán)期間使一種或更多種反應(yīng)物流動(dòng)至一個(gè)或更多個(gè)站中的每一者。在一些實(shí)施方案中，于第二組循環(huán)期間，一種或更多種反應(yīng)物不與不在多個(gè)站的第一子集中的站中的襯底反應(yīng)。在一些實(shí)施方案中，進(jìn)一步包括：于第二組循環(huán)期間提供射頻(rf)功率至多個(gè)站的第一子集，并且于第二組循環(huán)期間不提供rf功率至不在多個(gè)站的第一子集中的站。在一些實(shí)施方案中，進(jìn)一步包括：于第二組循環(huán)期間使一種或更多種反應(yīng)物流動(dòng)至多個(gè)站中的每一者。在一些實(shí)施方案中，進(jìn)一步包括：于第二組循環(huán)期間使一種或更多種反應(yīng)物流動(dòng)至多個(gè)站的第一子集，并且于第二組循環(huán)期間不使一種或更多種反應(yīng)物流動(dòng)至不在多個(gè)站的第一子集中的站。在一些實(shí)施方案中，其進(jìn)一步包括第二處理室，且其中多個(gè)站的第一子集是處理室的一部分，且不在多個(gè)站的第一子集中的站是第二處理室的一部分。

8、下面將參考附圖詳細(xì)說明本公開的實(shí)施方案的這些及其他特征。