1.一種方法，其包含：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述非基于持續(xù)時(shí)間的參數(shù)是抑制物質(zhì)的流率、稀釋氣體的流率、壓強(qiáng)、或射頻(rf)功率。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一組循環(huán)的所述第一子集相較于所述第一組循環(huán)的所述第二子集抑制所述間隙中的沉積至所述間隙的較大深度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中將所述襯底暴露于抑制等離子體包含：使抑制物質(zhì)流動(dòng)至所述處理室中，且其中于所述第一組循環(huán)的所述第二子集期間的抑制物質(zhì)的流量相較于所述第一組循環(huán)的所述第一子集是較低的。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述第一組循環(huán)的所述第一子集與所述第一組循環(huán)的所述第二子集之間的抑制物質(zhì)的流量差介于約1sccm與約5sccm之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中將所述襯底暴露于抑制等離子體包含：使抑制物質(zhì)與惰性氣體共流至所述處理室中，且其中于所述第一組循環(huán)的所述第二子集期間的抑制物質(zhì)比惰性氣體的比例相較于所述第一組循環(huán)的所述第一子集是較高的。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述抑制物質(zhì)包含含氮物質(zhì)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中將所述襯底暴露于抑制等離子體包含提供射頻(rf)能量至所述處理室，且其中于所述第一組循環(huán)的所述第二子集期間的rf相較于所述第一組循環(huán)的所述第一子集是較低的。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述第一組循環(huán)的所述第一子集與所述第一組循環(huán)的所述第二子集之間的rf功率差介于約50w與約700w之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述rf功率介于每襯底約250w與約1250w之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述一個(gè)或更多個(gè)結(jié)構(gòu)中的每一者具有一個(gè)或更多個(gè)內(nèi)凹特征。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中在所述襯底內(nèi)所述內(nèi)凹特征中的至少一者具有至少10％的關(guān)鍵尺寸變化。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中基于所述一個(gè)或更多個(gè)結(jié)構(gòu)的所述至少一個(gè)內(nèi)凹特征的所述關(guān)鍵尺寸變化而修改所述至少一個(gè)非基于持續(xù)時(shí)間的參數(shù)。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述內(nèi)凹特征中的至少一者在結(jié)構(gòu)之間具有至少10％的深度變化。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中基于所述一個(gè)或更多個(gè)結(jié)構(gòu)的所述至少一個(gè)內(nèi)凹特征的所述深度變化而修改所述至少一個(gè)非基于持續(xù)時(shí)間的參數(shù)。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述介電材料為氧化物材料。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述氧化物材料為二氧化硅。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其還包含執(zhí)行以下操作的第二組循環(huán)：
19.一種系統(tǒng)，其包含：
20.一種系統(tǒng)，其包含：
21.一種方法，其包含：