發(fā)明構(gòu)思涉及一種半導(dǎo)體封裝件，更具體地，涉及一種包括多個偏移堆疊的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體封裝件。

背景技術(shù)：

1、在其中嵌入有多個半導(dǎo)體芯片的多芯片封裝件中，隨著為了高容量和高性能而增加半導(dǎo)體芯片和輸入/輸出（i/o）通道的數(shù)目，可以通過平行布置半導(dǎo)體芯片來減少垂直堆疊的芯片的數(shù)目。然而，當(dāng)半導(dǎo)體芯片平行布置時，由于相同或不同類型的芯片之間的尺寸差異，外伸部分下垂。當(dāng)平行布置的芯片的數(shù)目對稱時，對減小封裝件的厚度具有限制。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、發(fā)明構(gòu)思提供了一種其中減小了堆疊的半導(dǎo)體芯片之間的信號距離的半導(dǎo)體封裝件。

2、發(fā)明構(gòu)思還提供了一種通過簡化工藝而獲得的成本降低的半導(dǎo)體封裝件。

3、發(fā)明構(gòu)思不限于上面提到的那些，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員將從下面的描述中清楚地理解未提及的發(fā)明構(gòu)思。

4、根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一方面，提供了一種半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件包括：封裝基板；堆疊結(jié)構(gòu)，所述堆疊結(jié)構(gòu)位于所述封裝基板上并且包括順序地堆疊并且彼此偏移的多個半導(dǎo)體芯片；以及多條芯片選擇布線，所述多條芯片選擇布線被配置為將所述封裝基板分別電連接到所述堆疊結(jié)構(gòu)的所述多個半導(dǎo)體芯片，其中，所述多個半導(dǎo)體芯片各自包括多個芯片選擇焊盤，所述多條芯片選擇布線各自沿著所述堆疊結(jié)構(gòu)的側(cè)表面和頂表面從所述封裝基板延伸到所述多個半導(dǎo)體芯片之一，并且所述多條芯片選擇布線的延伸長度彼此不同。

5、根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的另一方面，提供了一種半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件包括：封裝基板；下堆疊結(jié)構(gòu)，所述下堆疊結(jié)構(gòu)位于所述封裝基板上并且包括順序地堆疊并且在第一水平方向上偏移的多個下半導(dǎo)體芯片；上堆疊結(jié)構(gòu)，所述上堆疊結(jié)構(gòu)位于所述下堆疊結(jié)構(gòu)上并且包括順序地堆疊并且在與所述第一水平方向相反的方向上偏移的多個上半導(dǎo)體芯片；支撐芯片，所述支撐芯片位于所述封裝基板上并且與所述上堆疊結(jié)構(gòu)的底表面接觸；多條下芯片選擇布線，所述多條下芯片選擇布線被配置為將所述封裝基板電連接到所述下堆疊結(jié)構(gòu)的所述多個下半導(dǎo)體芯片；以及多條上芯片選擇布線，所述多條上芯片選擇布線被配置為將所述封裝基板電連接到所述上堆疊結(jié)構(gòu)的所述多個上半導(dǎo)體芯片，其中，所述上堆疊結(jié)構(gòu)在所述第一水平方向上相對于所述下堆疊結(jié)構(gòu)偏移，所述多條下芯片選擇布線各自沿著所述下堆疊結(jié)構(gòu)的側(cè)表面和頂表面從所述封裝基板延伸到所述多個下半導(dǎo)體芯片之一，并且所述多條上芯片選擇布線各自沿著所述支撐芯片的外表面以及所述上堆疊結(jié)構(gòu)的側(cè)表面和頂表面從所述封裝基板延伸到所述多個上半導(dǎo)體芯片之一。

6、根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的又一方面，提供了一種半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件包括：封裝基板；堆疊結(jié)構(gòu)，所述堆疊結(jié)構(gòu)位于所述封裝基板上并且包括順序地堆疊并且在第一水平方向上偏移的多個半導(dǎo)體芯片；絕緣蓋，所述絕緣蓋位于所述堆疊結(jié)構(gòu)的頂表面上；以及多條芯片選擇布線，所述多條芯片選擇布線被配置為將所述封裝基板電連接到所述堆疊結(jié)構(gòu)的所述多個半導(dǎo)體芯片，其中，所述多個半導(dǎo)體芯片各自包括位于其頂表面上的多個芯片選擇焊盤，所述絕緣蓋覆蓋所述多個半導(dǎo)體芯片的所述多個芯片選擇焊盤中的至少一個芯片選擇焊盤，所述絕緣蓋的頂表面與所述多條芯片選擇布線中的至少一個芯片選擇布線接觸，并且所述多條芯片選擇布線各自沿著所述堆疊結(jié)構(gòu)的側(cè)表面和頂表面從所述封裝基板延伸到所述多個半導(dǎo)體芯片之一。

7、根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的其他方面，提供了一種半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件包括：封裝基板；堆疊結(jié)構(gòu)，所述堆疊結(jié)構(gòu)位于所述封裝基板上并且包括順序地堆疊并且在第一水平方向上偏移的多個半導(dǎo)體芯片；以及多條芯片選擇布線，所述多條芯片選擇布線被配置為將所述封裝基板電連接到所述堆疊結(jié)構(gòu)的所述多個半導(dǎo)體芯片，其中，所述多條芯片選擇布線各自沿著所述堆疊結(jié)構(gòu)的側(cè)表面和頂表面從所述封裝基板延伸到所述多個半導(dǎo)體芯片之一，所述多個半導(dǎo)體芯片各自包括位于其頂表面上的多個芯片選擇焊盤，所述多個芯片選擇焊盤在與所述第一水平方向垂直的第二水平方向上彼此間隔開，所述多條芯片選擇布線當(dāng)中的第一芯片選擇布線包括在不同的方向上延伸的第一部分和第二部分，并且在平面圖中，所述第一部分在所述第一水平方向上延伸，并且所述第二部分在相對于所述第一水平方向和所述第二水平方向兩者傾斜的方向上延伸。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述多條芯片選擇布線當(dāng)中的與所述多個半導(dǎo)體芯片中的一個半導(dǎo)體芯片電連接的芯片選擇布線的數(shù)目不同于所述多條芯片選擇布線當(dāng)中的與所述多個半導(dǎo)體芯片中的另一個半導(dǎo)體芯片電連接的芯片選擇布線的數(shù)目。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝件，

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝件，

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝件，

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件還包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述多個芯片選擇布線沿著所述堆疊結(jié)構(gòu)的所述側(cè)表面和所述頂表面共形地延伸。

13.一種半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件包括：

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝件，

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述多個上芯片選擇布線沿著所述最底部的上半導(dǎo)體芯片的所述第一側(cè)表面和所述支撐芯片的所述第一側(cè)表面在所述垂直方向上延伸。

16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝件，

17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝件，

18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝件，

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體封裝件，

20.一種半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件包括：

技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體封裝件包括：封裝基板；堆疊結(jié)構(gòu)，所述堆疊結(jié)構(gòu)位于所述封裝基板上并且包括順序地堆疊并且彼此偏移的多個半導(dǎo)體芯片；以及多條芯片選擇布線，所述多條芯片選擇布線被配置為將所述封裝基板分別電連接到所述堆疊結(jié)構(gòu)的所述多個半導(dǎo)體芯片，其中，所述多個半導(dǎo)體芯片各自包括多個芯片選擇焊盤，所述多條芯片選擇布線各自沿著所述堆疊結(jié)構(gòu)的側(cè)表面和頂表面從所述封裝基板延伸到所述多個半導(dǎo)體芯片之一，并且所述多條芯片選擇布線的延伸長度彼此不同。

技術(shù)研發(fā)人員：鄭锜泓,郭棟沃,李喆雨
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/6/19