本發(fā)明涉及電子元器件加工，尤其涉及治具及治具加工方法。
背景技術(shù)：
1、半導(dǎo)體、電子元器件在加工或測試過程中，需要將料件通過治具進行儲存輸送。例如在半導(dǎo)體分選機加工時，芯片分割后需要進行多次中轉(zhuǎn)搬運，需要將其放入治具中轉(zhuǎn)運。治具通常由金屬材料整體加工制成，包括若干容納腔以容納芯片，容納腔內(nèi)設(shè)有負壓孔，通負壓使芯片被吸附在容納腔內(nèi)。當(dāng)芯片尺寸較小時，對應(yīng)的容納腔尺寸也需要減小，因此，對容納腔內(nèi)的結(jié)構(gòu)加工難度增大，治具上的芯片容納腔尺寸較小，數(shù)量多，精度要求高，導(dǎo)致加工工藝復(fù)雜，從而所產(chǎn)生的加工費用偏高，制作周期偏長，報廢率高的問題。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本發(fā)明的一個目的在于解決現(xiàn)有的技術(shù)問題，提供一種治具，能夠解決加工難度大、成本高的問題。
2、本發(fā)明的另一目的在于提供一種治具的加工方法，能夠解決加工難度大、成本高的問題。
3、為實現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明實施例采用以下技術(shù)方案：
4、一種治具，包括：
5、底座，設(shè)有若干支撐臺，支撐臺用于支撐料件，支撐臺設(shè)有真空孔，用于導(dǎo)入負壓；
6、上蓋，與底座拼接，上蓋設(shè)有若干與支撐臺對應(yīng)的配接孔，配接孔一端設(shè)有容納料件的容納腔，另一端與支撐臺對應(yīng)，支撐臺穿入配接孔中并位于容納腔中。
7、在一些實施例中，所述容納腔與支撐臺之間具有凹陷部，以容納料件所攜帶的殘料。
8、在一些實施例中，所述凹陷部位于容納腔內(nèi)壁與支撐臺的側(cè)壁之間，凹陷部環(huán)繞支撐臺設(shè)置與料件的周側(cè)對應(yīng)，支撐臺的上端面位于凹陷部上方，以支撐料件。
9、在一些實施例中，所述上蓋具有平行設(shè)置的第一平面和第二平面，所述配接孔位于第二平面，所述容納腔位于第一平面，所述底座的上表面與第二平面對應(yīng)設(shè)置，支撐臺和配接孔一一對應(yīng)。
10、在一些實施例中，所述支撐臺凸設(shè)于底座的上表面，所述容納腔的尺寸大于配接孔的尺寸。
11、在一些實施例中，所述容納腔和配接孔均為方孔，所述支撐臺為方形，所述容納腔的角部設(shè)有避讓孔，避免料件與容納腔干涉。
12、在一些實施例中，所述支撐臺和配接孔排布成相同陣列，奇數(shù)列和偶數(shù)列的容納腔錯位設(shè)置，增加相鄰容納腔的間距。
13、在一些實施例中，所述凹陷部的寬度為0.40mm至0.50mm之間，容納腔的寬度位于2.6mm至3.6mm之間，底座和上蓋均由金屬材料制成。
14、在一些實施例中，所述底座和上蓋通過鎖緊組件可拆卸連接，支撐臺上覆蓋有彈性層。
15、一種治具的加工方法，包括：
16、底座加工，在底座表面開設(shè)若通孔，然后在通孔一端加工出支撐臺；
17、上蓋加工，在上蓋表面加工出若干容納腔，容納腔數(shù)量與通孔相同，然后在容納腔中加工出配接孔；
18、拼接底座和上蓋，將支撐臺與配接孔插接，支撐臺經(jīng)配接孔進入容納腔中。
19、在一些實施例中，所述支撐臺通過對真空孔開口處銑削加工形成，銑削后再對支撐臺精磨處理。
20、在一些實施例中，上蓋加工時，先加工出避讓孔，再加工出容納腔。
21、在一些實施例中，所述通孔為圓孔，所述支撐臺為方形，所述配接孔和容納腔為方形，配接孔的尺寸小于容納腔。
22、在一些實施例中，在底座加工和上蓋加工時，支撐臺加工完成后，對底座外形進行加工，配接孔加工完成后對上蓋外形進行加工。
23、本發(fā)明包括以下主要優(yōu)點：
24、(1)將一塊治具分成兩層結(jié)構(gòu)，然后再拼裝在一起，從而降低難度，縮短工時，提高一次加工成功率，并且方便返修；(2)底座和上蓋分別加工，能夠降低加工難度和成本，提升加工精度；(3)通過設(shè)置凹陷部，能夠降低殘料影響料件的真空吸附，使料件吸附更穩(wěn)固。本發(fā)明技術(shù)方案的其他優(yōu)點在具體實施例中進行說明。
1.一種治具，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的治具，其特征在于，所述容納腔與支撐臺之間具有凹陷部，以容納料件所攜帶的殘料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的治具，其特征在于，所述凹陷部位于容納腔內(nèi)壁與支撐臺的側(cè)壁之間，凹陷部環(huán)繞支撐臺設(shè)置與料件的周側(cè)對應(yīng)，支撐臺的上端面位于凹陷部上方，以支撐料件。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的治具，其特征在于，所述上蓋具有平行設(shè)置的第一平面和第二平面，所述配接孔位于第二平面，所述容納腔位于第一平面，所述底座的上表面與第二平面對應(yīng)設(shè)置，支撐臺和配接孔一一對應(yīng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的治具，其特征在于，所述支撐臺凸設(shè)于底座的上表面，所述容納腔的尺寸大于配接孔的尺寸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的治具，其特征在于，所述容納腔和配接孔均為方孔，所述支撐臺為方形，所述容納腔的角部設(shè)有避讓孔，避免料件與容納腔干涉。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的治具，其特征在于，所述支撐臺和配接孔排布成相同陣列，奇數(shù)列和偶數(shù)列的容納腔錯位設(shè)置，增加相鄰容納腔的間距。
8.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的治具，其特征在于，所述凹陷部的寬度為0.40mm至0.50mm之間，容納腔的寬度位于2.6mm至3.6mm之間，底座和上蓋均由金屬材料制成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的治具，其特征在于，所述底座和上蓋通過鎖緊組件可拆卸連接，支撐臺上覆蓋有彈性層。
10.一種治具的加工方法，其特征在于，包括：
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的治具的加工方法，其特征在于，所述支撐臺通過對真空孔開口處銑削加工形成，銑削后再對支撐臺精磨處理。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的治具的加工方法，其特征在于，上蓋加工時，先加工出避讓孔，再加工出容納腔。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的治具的加工方法，其特征在于，所述通孔為圓孔，所述支撐臺為方形，所述配接孔和容納腔為方形，配接孔的尺寸小于容納腔。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的治具的加工方法，其特征在于，在底座加工和上蓋加工時，支撐臺加工完成后，對底座外形進行加工，配接孔加工完成后對上蓋外形進行加工。