本公開涉及固體電解電容器。
背景技術(shù)：
1、固體電解電容器具備固體電解電容器元件、密封固體電解電容器元件的樹脂外裝體或殼體、和與固體電解電容器元件電連接的外部電極。固體電解電容器元件例如具備陽極體、形成于陽極體的表面的電介質(zhì)層、和覆蓋電介質(zhì)層的至少一部分的陰極部。陰極部包含覆蓋電介質(zhì)層的至少一部分的導(dǎo)電性高分子(例如共軛系高分子和摻雜劑)。導(dǎo)電性高分子也被稱為固體電解質(zhì)。
2、固體電解質(zhì)可以利用化學(xué)聚合或電解聚合等原位聚合來形成。但是，從能夠簡(jiǎn)便地形成固體電解質(zhì)的觀點(diǎn)出發(fā)，固體電解質(zhì)的形成大多利用使用包含共軛系高分子和摻雜劑的液態(tài)的分散體的方法。
3、例如，專利文獻(xiàn)1提出了一種電解電容器的制造方法，其包括對(duì)在表面形成有電介質(zhì)覆膜的陽極體，浸滲包含第一導(dǎo)電性高分子的顆粒和第一溶劑的第一分散體溶液后，浸滲包含第二導(dǎo)電性高分子的顆粒和第二溶劑的第二分散體溶液的步驟，前述第一分散體溶液的ph比前述第二分散體溶液的ph更接近7。
4、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
5、專利文獻(xiàn)
6、專利文獻(xiàn)1：日本特開2013-58807號(hào)公報(bào)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本公開的一個(gè)方案涉及包含至少1個(gè)電容器元件的固體電解電容器。前述電容器元件包含：至少在表層包含多孔部的陽極箔；覆蓋前述陽極箔的至少一部分的電介質(zhì)層；和覆蓋前述電介質(zhì)層的至少一部分的固體電解質(zhì)層。前述固體電解質(zhì)層包含含有共軛系高分子的第一聚合物成分和含有聚合物陰離子的第二聚合物成分。在前述固體電解質(zhì)層的表層的拉曼光譜中，觀察到前述第一聚合物成分所特有的峰。將前述固體電解電容器的額定電壓設(shè)為rv(v)時(shí)的前述電介質(zhì)層的平均厚度t為2.50×rv(nm)以上。
2、能夠提供具有高充放電特性和高耐電壓性的固體電解電容器。
1.一種固體電解電容器，其包含至少1個(gè)電容器元件，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體電解電容器，其中，所述固體電解質(zhì)層包含硫元素，
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的固體電解電容器，其中，所述電介質(zhì)層的平均厚度t為3.5×rv(nm)以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的固體電解電容器，其中，所述額定電壓rv為12v以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的固體電解電容器，其中，所述共軛系高分子包含與噻吩化合物對(duì)應(yīng)的單體單元。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的固體電解電容器，其中，所述第一聚合物成分所特有的峰包含在1200cm-1以上且1600cm-1以下的波數(shù)范圍觀測(cè)到的第一峰。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的固體電解電容器，其中，所述第一聚合物成分至少包含與3,4-亞乙基二氧噻吩化合物對(duì)應(yīng)的單體單元作為所述與噻吩化合物對(duì)應(yīng)的單體單元。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的固體電解電容器，其中，所述聚合物陰離子的重均分子量為100以上且50萬以下。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的固體電解電容器，其中，所述聚合物陰離子包含與有機(jī)磺酸化合物對(duì)應(yīng)的單體單元。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的固體電解電容器，其中，所述第一聚合物成分所特有的峰包含在1200cm-1以上且1600cm-1以下的波數(shù)范圍觀測(cè)到的第一峰，
11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的固體電解電容器，其中，在所述第一部分的拉曼光譜中，所述第一聚合物成分所特有的第一峰的強(qiáng)度ip1相對(duì)于所述第二聚合物成分所特有的第二峰的強(qiáng)度ip2之比(＝ip1/ip2)為2以上。
12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的固體電解電容器，其包含所述電容器元件，并且包含相互層疊的多個(gè)電容器元件。