本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，具體是一種用于在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中形成自對(duì)準(zhǔn)摻雜區(qū)的方法。
背景技術(shù)：
1、碳化硅(sic)材料在場(chǎng)強(qiáng)、能隙、熱導(dǎo)率等方面有著數(shù)倍于傳統(tǒng)硅材料的性能，這使得碳化硅制成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)更適用于高壓、高溫、高頻的工作場(chǎng)合，能滿(mǎn)足電力電子技術(shù)的發(fā)展需求，成為大功率變換器的優(yōu)先選擇。相比于傳統(tǒng)硅材料制造的大功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，使用碳化硅材料制成的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管在更耐高壓的同時(shí)又有著硅材料制造的絕緣柵極雙極結(jié)型晶體管(igbt)所不具備的高開(kāi)關(guān)速度，適于高壓高頻的應(yīng)用。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本發(fā)明實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：在半導(dǎo)體襯底上方形成磊晶層；在所述磊晶層上方形成第一圖案化硬掩膜；通過(guò)所述第一圖案化硬掩膜進(jìn)行第一注入工藝，以在所述磊晶層中形成第一摻雜區(qū)；通過(guò)所述第一圖案化硬掩膜進(jìn)行第二注入工藝，以在所述磊晶層中形成第二摻雜區(qū)，所述第一摻雜區(qū)與所述第二摻雜區(qū)至少部分重疊；形成圍繞所述第一圖案化硬掩膜且覆蓋至少部分所述第一摻雜區(qū)的第二圖案化硬掩膜；以及通過(guò)所述第二圖案化硬掩膜進(jìn)行第三注入工藝，以在所述磊晶層中形成第三摻雜區(qū)。
2、本發(fā)明實(shí)施例提供了另一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其包括：在半導(dǎo)體襯底上方依序形成磊晶層及第一圖案化硬掩膜；通過(guò)所述第一圖案化硬掩膜進(jìn)行第一注入工藝，以在所述磊晶層中形成第一摻雜區(qū)；形成圍繞所述第一圖案化硬掩膜的第二圖案化硬掩膜；通過(guò)所述第二圖案化硬掩膜進(jìn)行第二注入工藝，以在所述磊晶層中形成第二摻雜區(qū)；形成圍繞所述第二圖案化硬掩膜的第三圖案化硬掩膜；及通過(guò)所述第三圖案化硬掩膜進(jìn)行第三注入工藝，以在所述磊晶層中形成第三摻雜區(qū)。
3、本發(fā)明實(shí)施例提供了又一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其包括：在半導(dǎo)體襯底上方依序形成磊晶層及第一圖案化硬掩膜；形成圍繞所述第一圖案化硬掩膜的第二圖案化硬掩膜；通過(guò)所述第二圖案化硬掩膜進(jìn)行第一注入工藝，以在所述磊晶層中形成第一摻雜區(qū)；移除所述第二圖案化硬掩膜；通過(guò)所述第一圖案化硬掩膜進(jìn)行第二注入工藝，以在所述磊晶層中形成圍繞所述第一摻雜區(qū)的第二摻雜區(qū)；去除部分所述第一圖案化硬掩膜以形成第三圖案化硬掩膜；以及通過(guò)所述第三圖案化硬掩膜進(jìn)行第三注入工藝，以在所述磊晶層中形成第三摻雜區(qū)，所述第三摻雜區(qū)與所述第二摻雜區(qū)至少部分重疊。
4、本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法以圖案化硬掩膜圖案作為屏蔽層，以自對(duì)準(zhǔn)注入摻雜離子形成摻雜區(qū)或調(diào)節(jié)區(qū)，可準(zhǔn)確地定位摻雜位置，降低對(duì)準(zhǔn)誤差(mis-alignment)。
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一摻雜區(qū)配置在所述第三摻雜區(qū)的轉(zhuǎn)角處。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述磊晶層包括第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面，所述第一表面接觸所述半導(dǎo)體襯底，所述第一摻雜區(qū)接觸所述第二表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述第一摻雜區(qū)與所述第三摻雜區(qū)部分重疊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第三摻雜區(qū)位于所述第二摻雜區(qū)中且被所述第二摻雜區(qū)圍繞。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一權(quán)利要求所述的制造方法，其特征在于，所述第一注入工藝以小于或等于45度的注入角度對(duì)所述磊晶層進(jìn)行注入。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一權(quán)利要求所述的制造方法，其特征在于，所述第一注入工藝于室溫下進(jìn)行或?yàn)闊嶙⑷牍に嚒?/p>
8.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一權(quán)利要求所述的制造方法，其特征在于，所述第二摻雜區(qū)具有第一導(dǎo)電型，所述第三摻雜區(qū)與所述第一導(dǎo)電型相異的第二導(dǎo)電型，所述第二摻雜區(qū)的摻雜濃度低于所述第三摻雜區(qū)的摻雜濃度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一權(quán)利要求所述的制造方法，其特征在于，所述第一注入工藝的注入劑量從約1×1013cm-2至約1×1015cm-2。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的制造方法，其特征在于，在所述第一注入工藝和所述第二注入工藝之前，進(jìn)行所述第三注入工藝并在完成所述第三注入工藝之后，移除所述第二圖案化硬掩膜。
11.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括：
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述第一摻雜區(qū)配置在所述第二摻雜區(qū)的側(cè)壁處。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述第三摻雜區(qū)位于該第二摻雜區(qū)中且被所述第二摻雜區(qū)圍繞。
14.根據(jù)權(quán)利要求11至13中任一權(quán)利要求所述的制造方法，其特征在于，所述第一注入工藝以小于或等于45度的注入角度對(duì)所述磊晶層進(jìn)行注入，且所述第一注入工藝于室溫下進(jìn)行或?yàn)闊嶙⑷牍に嚒?/p>
15.根據(jù)權(quán)利要求11至13中任一權(quán)利要求所述的制造方法，其特征在于，形成所述第一圖案化硬掩膜包括：
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造方法，其特征在于，所述第一電介質(zhì)層選自氮化硅(si3n4)、氧化鉿(hfo2)、氧化鋯(zro2)、三氧化二鋁(al2o3)，以及所述第二電介質(zhì)層包括二氧化硅(sio2)。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造方法，其特征在于，所述第一電介質(zhì)層、所述半導(dǎo)體層和所述第二電介質(zhì)層各自的厚度在約500埃和約30000埃之間，以及所述第二
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造方法，其特征在于，進(jìn)一步包括：
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的制造方法，其特征在于，所述掩埋氧化物層的寬度在約10埃和約20000埃之間，以及所述掩埋氧化物層的厚度在約500埃和約4000埃之間。
20.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括：
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的制造方法，其特征在于，所述第三摻雜區(qū)配置在所述第二摻雜區(qū)的側(cè)壁處。
22.根據(jù)權(quán)利要求20或21所述的制造方法，其特征在于，所述第一注入工藝以小于或等于45度的注入角度對(duì)所述磊晶層進(jìn)行注入，且所述第一注入工藝于室溫下進(jìn)行或?yàn)闊嶙⑷牍に嚒?/p>
23.根據(jù)權(quán)利要求20或21所述的制造方法，其特征在于，所述第一圖案化硬掩膜圖案的厚度大于或等于約3微米。
24.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括：
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的制造方法，其特征在于，所述第一圖案化硬掩膜包括于所述保護(hù)層上形成第一電介質(zhì)層、于所述第一電介質(zhì)層上形成半導(dǎo)體層，以及于所述半導(dǎo)體層上形成第二電介質(zhì)層，其中所述第一電介質(zhì)層的熔點(diǎn)高于所述第二電介質(zhì)層的熔點(diǎn)。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的制造方法，其特征在于，移除部分所述第一圖案化硬掩膜包括移除所述第二電介質(zhì)層、所述半導(dǎo)體層及部分所述第一電介質(zhì)層，從而所述掩埋氧化物層包括殘留部分的所述第一電介質(zhì)層及所述殘留部分的所述保護(hù)層。