本申請涉及數(shù)據(jù)讀寫，尤其涉及一種控制方法及雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器ddr。
背景技術(shù)：
1、當前芯片級系統(tǒng)soc(system?on?chip)的常規(guī)應用中，系統(tǒng)層面會根據(jù)不同的應用場景對雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器ddr?sdram(double?data?rate?synchronousdynamic?random?access?memory)進行調(diào)壓調(diào)頻dvfs(dynamic?voltage?and?frequencyscaling)的操作。
2、但是，如果ddr正在執(zhí)行某種操作，不僅會導致該操作被暫停，還可能會導致額外的延遲。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、有鑒于此，本申請?zhí)峁┮环N控制方法及雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器，如下：
2、一種控制方法，包括：
3、在接收到雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器ddr的調(diào)壓調(diào)頻指令的情況下，保持所述ddr的目標接口處于開啟狀態(tài)，所述目標接口處于所述開啟狀態(tài)下能夠繼續(xù)接收針對所述ddr的讀寫指令，所述讀寫指令被寫入讀寫隊列；
4、其中，在接收到所述調(diào)壓調(diào)頻指令之后，所述ddr執(zhí)行所述讀寫隊列中的至少部分指令，直到控制條件被滿足，所述ddr執(zhí)行所述調(diào)壓調(diào)頻指令。
5、上述方法，優(yōu)選的，在接收到所述調(diào)壓調(diào)頻指令之后，所述方法還包括：
6、如果所述ddr正在執(zhí)行目標指令，所述ddr在執(zhí)行完成所述目標指令后，再執(zhí)行所述讀寫隊列中的至少部分指令；
7、如果所述ddr沒有在執(zhí)行所述目標指令，所述ddr執(zhí)行所述讀寫隊列中的至少部分指令。
8、上述方法，優(yōu)選的，所述目標指令包括：連續(xù)刷新指令，或，周期性訓練指令。
9、上述方法，優(yōu)選的，所述ddr執(zhí)行所述讀寫隊列中的至少部分指令，包括：
10、所述ddr執(zhí)行所述讀寫隊列中滿足第一優(yōu)先執(zhí)行條件的讀寫指令；
11、其中，所述第一優(yōu)先執(zhí)行條件包括：優(yōu)先級標識處于第一優(yōu)先標識范圍，所述優(yōu)先級標識表征所述讀寫指令的任務優(yōu)先級高低。
12、上述方法，優(yōu)選的，所述控制條件被滿足，包括：
13、如果所述調(diào)壓調(diào)頻指令為第一類型的指令，所述讀寫隊列中滿足第二優(yōu)先執(zhí)行條件的讀寫指令被執(zhí)行完成的完成率為第一完成率；所述第二優(yōu)先執(zhí)行條件包括：優(yōu)先級標識處于第二優(yōu)先標識范圍，所述優(yōu)先級標識表征所述讀寫指令的任務優(yōu)先級高低；
14、如果所述調(diào)壓調(diào)頻指令為第二類型的指令，所述讀寫隊列中滿足所述第二優(yōu)先執(zhí)行條件的讀寫指令被執(zhí)行完成的完成率為第二完成率；
15、其中，所述第一類型和所述第二類型對電壓或頻率的調(diào)整方向不同，且，所述第一完成率大于所述第二完成率。
16、上述方法，優(yōu)選的，所述第一類型的指令包括：指示電壓下降或頻率降低的指令；
17、所述第二類型的指令包括：指示電壓升高或頻率升高的指令。
18、上述方法，優(yōu)選的，所述ddr按照從存儲區(qū)域讀取到的執(zhí)行參數(shù)執(zhí)行所述調(diào)壓調(diào)頻指令；
19、其中，所述執(zhí)行參數(shù)在所述ddr接收到所述調(diào)壓調(diào)頻指令之前被寫入到所述存儲區(qū)域，且，所述執(zhí)行參數(shù)包括：所述調(diào)壓調(diào)頻指令對應的調(diào)壓參數(shù)和調(diào)頻參數(shù)。
20、上述方法，優(yōu)選的，在接收到所述調(diào)壓調(diào)頻指令之后，所述ddr執(zhí)行所述讀寫隊列中的至少部分指令，包括：
21、所述ddr執(zhí)行所述讀寫隊列中被寫入到調(diào)度隊列的至少部分讀寫指令；
22、其中，在接收到所述調(diào)壓調(diào)頻指令之后，所述ddr繼續(xù)將所述讀寫隊列中滿足調(diào)度條件的讀寫指令寫入所述調(diào)度隊列，且所述ddr不執(zhí)行所述調(diào)度隊列中在第一時刻之后被寫入的讀寫指令，且在第二時刻之后所述ddr停止向所述調(diào)度隊列寫入所述讀寫指令；
23、且，所述調(diào)度條件包括：優(yōu)先級標識處于第三優(yōu)先標識范圍，所述優(yōu)先級標識表征所述讀寫指令的任務優(yōu)先級高低；
24、且，所述第一時刻為在接收到所述調(diào)壓調(diào)頻指令之后延遲第一時長的時刻，或，所述第一時刻為接收到所述調(diào)壓調(diào)頻指令的時刻，或者，所述第一時刻為在接收到所述調(diào)壓調(diào)頻指令之后所述ddr將正在執(zhí)行的目標指令執(zhí)行完成后的時刻；所述第二時刻為所述ddr開始執(zhí)行所述調(diào)壓調(diào)頻指令的時刻。
25、上述方法，優(yōu)選的，在所述ddr執(zhí)行所述調(diào)壓調(diào)頻指令完成之后，所述ddr將所述讀寫隊列中滿足調(diào)度條件的讀寫指令寫入調(diào)度隊列，所述ddr執(zhí)行所述調(diào)度隊列中的讀寫指令；
26、其中，所述讀寫隊列中存儲有：在所述調(diào)壓調(diào)頻指令被執(zhí)行之前所述目標接口接收到的未被寫入所述調(diào)度隊列的讀寫指令，在所述調(diào)壓調(diào)頻指令被執(zhí)行過程中所述目標接口接收到的未被寫入所述調(diào)度隊列的讀寫指令，和，在所述調(diào)壓調(diào)頻指令被執(zhí)行完成后所述目標接口接收到的讀寫指令；
27、其中，所述調(diào)度條件包括：優(yōu)先級標識處于第四優(yōu)先標識范圍，所述優(yōu)先級標識表征所述讀寫指令的任務優(yōu)先級高低；
28、且，所述讀寫隊列中第一指令的優(yōu)先級標識基于其對應的等待時長按照第一規(guī)則更新，所述讀寫隊列中第二指令的優(yōu)先級標識基于其對應的等待時長按照第二規(guī)則更新。
29、一種雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器ddr，包括：
30、目標接口；
31、控制器，用于在接收到所述ddr的調(diào)壓調(diào)頻指令的情況下，保持所述目標接口處于開啟狀態(tài)，所述目標接口處于所述開啟狀態(tài)下能夠繼續(xù)接收針對所述ddr的讀寫指令，所述讀寫指令被寫入讀寫隊列；
32、且，在接收到所述調(diào)壓調(diào)頻指令之后，所述控制器執(zhí)行所述讀寫隊列中的至少部分指令，直到控制條件被滿足，所述控制器執(zhí)行所述調(diào)壓調(diào)頻指令。
33、從上述技術(shù)方案可以看出，本申請公開的一種控制方法及雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器ddr，在接收到調(diào)壓調(diào)頻指令的情況下，保持ddr的目標接口處于開啟狀態(tài)，而目標接口處于開啟狀態(tài)下能夠繼續(xù)接收ddr的讀寫指令且這些讀寫指令被寫入讀寫隊列，而且，在接收到調(diào)壓調(diào)頻指令之后，ddr執(zhí)行讀寫隊列中的至少部分指令，直到控制條件被滿足的時候，ddr執(zhí)行調(diào)壓調(diào)頻指令。可見，本申請中在接收到調(diào)壓調(diào)頻指令之后，ddr上仍然繼續(xù)接收讀寫指令并執(zhí)行讀寫隊列中的部分指令，直到控制條件被滿足再執(zhí)行調(diào)壓調(diào)頻指令，由此避免ddr等待時長過長，進而減少讀寫隊列中各讀寫指令的延遲時長。
1.一種控制方法，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，在接收到所述調(diào)壓調(diào)頻指令之后，所述方法還包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，所述目標指令包括：連續(xù)刷新指令，或，周期性訓練指令。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述ddr執(zhí)行所述讀寫隊列中的至少部分指令，包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述控制條件被滿足，包括：
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，所述第一類型的指令包括：指示電壓下降或頻率降低的指令；
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述ddr按照從存儲區(qū)域讀取到的執(zhí)行參數(shù)執(zhí)行所述調(diào)壓調(diào)頻指令；
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，在接收到所述調(diào)壓調(diào)頻指令之后，所述ddr執(zhí)行所述讀寫隊列中的至少部分指令，包括：
9.根據(jù)權(quán)利要求1或8所述的方法，在所述ddr執(zhí)行所述調(diào)壓調(diào)頻指令完成之后，所述ddr將所述讀寫隊列中滿足調(diào)度條件的讀寫指令寫入調(diào)度隊列，所述ddr執(zhí)行所述調(diào)度隊列中的讀寫指令；
10.一種雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器ddr，包括：