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本申請涉及半導體，并且更為具體地，涉及一種存儲電路、控制方法、控制裝置、存算系統(tǒng)和電子設備。、在傳統(tǒng)的計算模式，例如，在馮諾依曼架構中，存儲和計算物理分離。利用該計算模式進行數(shù)據(jù)處理時，數(shù)據(jù)在存儲器件和計算器件之間進行頻繁傳輸，帶來了數(shù)據(jù)傳輸時延和能耗。隨著大數(shù)據(jù)和人工智能等技術的發(fā)展，數(shù)...

本發(fā)明涉及psram控制器，具體涉及應用于psram控制器的時鐘延遲鏈系統(tǒng)及psram控制系統(tǒng)。、psram(pseudo?static?randomaccess?memory)是一種高速存儲器件，其帶寬、容量和設計復雜度等介于sram(static?randomaccess?memory...

本公開涉及一種包括損壞檢測電路的存儲器件以及包括該存儲器件的測試系統(tǒng)，更具體地，涉及一種使用損壞檢測電路來測試存儲器件中的焊盤的下部區(qū)域是否已損壞并輸出測試結果的存儲器件。、為了將存儲器件連接到外部設備，存儲器件的焊盤可以通過引線接合電連接到外部設備。此外，存儲器件可以通過自動測試設備(a...

本發(fā)明涉及存儲器裝置領域，且特別涉及一種多次寫入只讀存儲器陣列及其只讀存儲器。、互補式金屬氧化半導體(complementary?metal?oxide?semiconductor，cmos)制程技術已成為特殊應用集成電路(application?specific?integrated?c...

本發(fā)明涉及電子，尤其涉及一種存儲器。、隨著各類電子產(chǎn)品的發(fā)展，各類存儲器得到廣泛的應用。為了保證良率，往往存儲器具備存儲單元的修復、調整和故障替換等功能，而修復和調整的相關信息數(shù)據(jù)需要有存儲的空間。、對易失性存儲器而言，當前需要設置額外的非易失性存儲器芯片來專門存儲這些修復調整信息，這樣一...

本公開的多種實施例涉及半導體設計技術，更具體地，涉及包括用于執(zhí)行糾錯操作的存儲器控制器的存儲系統(tǒng)。、存儲系統(tǒng)可以存儲從外部設備提供的數(shù)據(jù)，并將存儲的數(shù)據(jù)提供給外部設備。存儲系統(tǒng)可以包括糾錯電路以確保數(shù)據(jù)的可靠性。近來，存儲器裝置可以將數(shù)據(jù)和糾錯碼存儲在一起，糾錯電路可以使用從存儲器裝置讀取...

本公開涉及但不限于一種時鐘信號調整電路。、延遲鎖相環(huán)(delay-locked?loop，dll)是對時鐘信號進行延遲調整，以實現(xiàn)系統(tǒng)中時鐘信號同步的電路。由于該同步不隨外界條件，如溫度、電壓等的變化而改變，因此，被廣泛地應用在時序領域。、例如，動態(tài)隨機存取存儲器(dynamic?rand...

本發(fā)明涉及存儲器，特別涉及一種存儲器控制器和三維堆疊存儲器。、dram(dynamic?random?access?memory，動態(tài)隨機存儲器)具有速度快、密度高、成本低的優(yōu)勢，被廣泛應用于計算機的主存，其采用電容作為存儲單元，該電容的電荷多少用于其存儲的數(shù)據(jù)是“”或“”。由于存在漏電現(xiàn)...

本公開涉及用于存儲一個操作參數(shù)的多個參數(shù)碼的設備、存儲器裝置和操作其的方法。、為了支持與存儲器裝置的高速接口，控制器（或中央處理器（cpu））可將時鐘信號提供給存儲器裝置。存儲器裝置可響應于從控制器接收的時鐘信號而處理從控制器接收的信號，并且使發(fā)送到控制器的信號與時鐘信號同步。根據(jù)時鐘信號...

本申請涉及半導體，并且更為具體地，涉及一種存儲裝置、控制方法、控制裝置、存算系統(tǒng)和電子設備。、在傳統(tǒng)的計算模式，例如，在馮諾依曼架構中，存儲和計算物理分離。利用該計算模式進行數(shù)據(jù)處理時，數(shù)據(jù)在存儲器件和計算器件之間進行頻繁傳輸，帶來了數(shù)據(jù)傳輸時延和能耗。隨著大數(shù)據(jù)和人工智能等技術的發(fā)展，數(shù)...

本發(fā)明涉及psram控制器，具體涉及psram的數(shù)據(jù)眼圖訓練系統(tǒng)及訓練方法。、psram(pseudo?static?randomaccess?memory)與ddr(double?data?ratesynchronous?dynamic?randomaccess?memory)的結構和操...

本申請涉及數(shù)據(jù)讀寫，尤其涉及一種控制方法及雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器ddr。、當前芯片級系統(tǒng)soc(system?on?chip)的常規(guī)應用中，系統(tǒng)層面會根據(jù)不同的應用場景對雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器ddr?sdram(double?data?rate?synchronousdynamic...

本發(fā)明涉及憶阻器測試，尤其涉及一種憶阻器的測試方法、裝置、電子設備及介質。、憶阻器是一種兩端器件。相關技術的憶阻器測試比如權值調制，人為將待測試憶阻器調到需要的電導值時，需要人為在待測試憶阻器兩端施加電壓，形成電勢差，通過人為一次次嘗試施加不同電壓，才能調到所需電導值，作為神經(jīng)網(wǎng)絡的權重。...

本發(fā)明涉及一種存儲系統(tǒng)、存儲控制器和存儲芯片，尤其涉及一種可有效利用基板的面積以及在動態(tài)隨機存取存儲器的刷新期間可有效減少讀取/寫入延遲的存儲系統(tǒng)、存儲控制器和存儲芯片。、現(xiàn)今，用于高性能計算或人工智能系統(tǒng)中的存儲系統(tǒng)通常包括動態(tài)隨機存取存儲器芯片和邏輯電路。由于所述動態(tài)隨機存取存儲器芯片...

本公開大體上涉及存儲器裝置、存儲器裝置操作，且舉例來說涉及使用對等傳送調節(jié)存儲器裝置。、存儲器裝置廣泛用于在各種電子裝置中存儲信息。存儲器裝置包含存儲器單元。存儲器單元是能夠編程為兩個或更多個數(shù)據(jù)狀態(tài)中的數(shù)據(jù)狀態(tài)的電子電路。舉例來說，存儲器單元可被編程為表示單個二進制值的數(shù)據(jù)狀態(tài)，通常由二...

本實施方式一般涉及磁盤裝置。、作為磁盤裝置，已知有：在盤的半徑方向上隔開間隔地對多個磁道進行寫入的通常記錄(conventional?magnetic?recording：cmr)型(或者，以往記錄型)的磁盤裝置、在盤的半徑方向上對多個磁道進行重疊寫入的瓦記錄(shingled?magne...

本發(fā)明涉及微電子，尤其是涉及一種基于脈沖的數(shù)據(jù)保持方法、裝置、存儲介質及計算機設備。、隨著半導體技術以及微電子技術的發(fā)展，特別是發(fā)現(xiàn)了二氧化鉿(hfo)薄膜在納米尺度具有的優(yōu)異鐵電性和完整的互補金屬氧化物半導體(complementary?metal?oxidesemiconductor，...

本申請涉及rram（?resistive?random-access?memory，阻變隨機存取存儲器，也稱為憶阻器）的測試，尤其涉及一種rram的測試方法、裝置、電子設備和存儲介質。、現(xiàn)有技術的憶阻器是一種具有?“記憶”?功能的電阻器件，其阻值會隨通過的電流大小和方向發(fā)生改變，且斷電后阻...

本申請涉及計算機存儲，更具體地說，本申請涉及一種磁盤陣列故障預警方法及相關設備。、隨著信息技術和數(shù)據(jù)中心規(guī)模的不斷擴大，磁盤陣列作為核心存儲設備，其運行穩(wěn)定性對整個系統(tǒng)的數(shù)據(jù)安全與業(yè)務連續(xù)性具有至關重要的影響；然而，磁盤陣列通常在高負載、高密度、長時間運行等復雜工況下工作，極易受到機械磨損...

本發(fā)明涉及芯片，具體涉及一種存儲設備的測試方法、電子設備及測試裝置。、隨著存儲設備技術的快速發(fā)展，固態(tài)硬盤（solid?state?disk，ssd）已經(jīng)得到廣泛應用。在固態(tài)硬盤出現(xiàn)讀寫異常、存儲單元故障或兼容性問題時，往往需要通過更新固態(tài)硬盤的固件以使固態(tài)硬盤能夠繼續(xù)正常工作。、bga（...