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蝕刻方法和等離子體處理裝置與流程

文檔序號(hào):42041810發(fā)布日期:2025-05-30 17:41閱讀:761來源:國(guó)知局

本發(fā)明的例示性的實(shí)施方式涉及蝕刻方法和等離子體處理裝置。


背景技術(shù):

1、在電子器件的制造中,為了在基片上的膜形成凹部,有時(shí)對(duì)膜進(jìn)行等離子體蝕刻。專利文獻(xiàn)1公開了在用于等離子體蝕刻的等離子體處理裝置中,對(duì)基片支承器施加用于將離子吸引到基片的電偏置。在專利文獻(xiàn)1所公開的等離子體處理裝置中,作為電偏置的一個(gè)例子,公開了脈沖狀的電壓連續(xù)的脈沖波。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

3、專利文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)1:國(guó)際公開第2022/234643號(hào)


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的技術(shù)問題

2、本發(fā)明提供一種能夠抑制通過蝕刻形成的凹部的形狀異常的技術(shù)。

3、用于解決技術(shù)問題的手段

4、在一個(gè)例示性的實(shí)施方式中,提供一種蝕刻方法。蝕刻方法包括:工序(a),提供基片,所述基片包括層疊膜,所述層疊膜包括硅氧化膜和硅氮化膜;工序(b),在對(duì)支承所述基片的基片支承部施加第一偏置電壓的同時(shí),利用從包含氫氟烴氣體的第一處理氣體生成的第一等離子體對(duì)所述硅氮化膜進(jìn)行蝕刻;和工序(c),在對(duì)所述基片支承部施加第二偏置電壓的同時(shí),利用從包含碳氟化合物氣體的第二處理氣體生成的第二等離子體對(duì)所述硅氧化膜進(jìn)行蝕刻,所述第二偏置電壓的電壓值的絕對(duì)值大于所述第一偏置電壓的電壓值的絕對(duì)值,所述第一偏置電壓和所述第二偏置電壓各自是直流電壓的脈沖的on和off周期性地反復(fù)的脈沖波,所述脈沖的on時(shí)間為0.5微秒以下。

5、發(fā)明效果

6、采用本發(fā)明的一個(gè)例示性的實(shí)施方式,能夠抑制通過蝕刻形成的凹部的形狀異常。



技術(shù)特征:

1.一種蝕刻方法,其特征在于,包括:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻方法,其特征在于:

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻方法,其特征在于:

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻方法,其特征在于:

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻方法,其特征在于:

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的蝕刻方法,其特征在于:

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻方法,其特征在于:

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻方法,其特征在于:

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻方法,其特征在于:

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的蝕刻方法,其特征在于:

11.一種等離子體處理裝置,其特征在于,包括:


技術(shù)總結(jié)
蝕刻方法包括:工序(a),提供包括層疊膜的基片,層疊膜包括硅氧化膜和硅氮化膜;工序(b),在對(duì)基片支承部施加第一偏置電壓的同時(shí),利用從包含氫氟烴氣體的第一處理氣體生成的第一等離子體對(duì)硅氮化膜進(jìn)行蝕刻;和工序(c),在對(duì)基片支承部施加第二偏置電壓的同時(shí),利用從包含碳氟化合物氣體的第二處理氣體生成的第二等離子體對(duì)硅氧化膜進(jìn)行蝕刻,第二偏置電壓的電壓值的絕對(duì)值大于第一偏置電壓的電壓值的絕對(duì)值,第一偏置電壓和第二偏置電壓各自是直流電壓的脈沖的ON和OFF周期性地反復(fù)的脈沖波,脈沖的ON時(shí)間為0.5微秒以下。

技術(shù)研發(fā)人員:齊藤翔,昆泰光,酒屋典之
受保護(hù)的技術(shù)使用者:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/5/29
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