本發(fā)明的例示性的實(shí)施方式涉及蝕刻方法和等離子體處理裝置。

背景技術(shù)：

1、在電子器件的制造中，為了在基片上的膜形成凹部，有時(shí)對(duì)膜進(jìn)行等離子體蝕刻。專利文獻(xiàn)1公開了在用于等離子體蝕刻的等離子體處理裝置中，對(duì)基片支承器施加用于將離子吸引到基片的電偏置。在專利文獻(xiàn)1所公開的等離子體處理裝置中，作為電偏置的一個(gè)例子，公開了脈沖狀的電壓連續(xù)的脈沖波。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

3、專利文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)1：國(guó)際公開第2022/234643號(hào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的技術(shù)問題

2、本發(fā)明提供一種能夠抑制通過蝕刻形成的凹部的形狀異常的技術(shù)。

3、用于解決技術(shù)問題的手段

4、在一個(gè)例示性的實(shí)施方式中，提供一種蝕刻方法。蝕刻方法包括：工序(a)，提供基片，所述基片包括層疊膜，所述層疊膜包括硅氧化膜和硅氮化膜；工序(b)，在對(duì)支承所述基片的基片支承部施加第一偏置電壓的同時(shí)，利用從包含氫氟烴氣體的第一處理氣體生成的第一等離子體對(duì)所述硅氮化膜進(jìn)行蝕刻；和工序(c)，在對(duì)所述基片支承部施加第二偏置電壓的同時(shí)，利用從包含碳氟化合物氣體的第二處理氣體生成的第二等離子體對(duì)所述硅氧化膜進(jìn)行蝕刻，所述第二偏置電壓的電壓值的絕對(duì)值大于所述第一偏置電壓的電壓值的絕對(duì)值，所述第一偏置電壓和所述第二偏置電壓各自是直流電壓的脈沖的on和off周期性地反復(fù)的脈沖波，所述脈沖的on時(shí)間為0.5微秒以下。

5、發(fā)明效果

6、采用本發(fā)明的一個(gè)例示性的實(shí)施方式，能夠抑制通過蝕刻形成的凹部的形狀異常。

技術(shù)特征：

1.一種蝕刻方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其特征在于：

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻方法，其特征在于：

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻方法，其特征在于：

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻方法，其特征在于：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的蝕刻方法，其特征在于：

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻方法，其特征在于：

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻方法，其特征在于：

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻方法，其特征在于：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的蝕刻方法，其特征在于：

11.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括：

技術(shù)總結(jié)
蝕刻方法包括：工序(a)，提供包括層疊膜的基片，層疊膜包括硅氧化膜和硅氮化膜；工序(b)，在對(duì)基片支承部施加第一偏置電壓的同時(shí)，利用從包含氫氟烴氣體的第一處理氣體生成的第一等離子體對(duì)硅氮化膜進(jìn)行蝕刻；和工序(c)，在對(duì)基片支承部施加第二偏置電壓的同時(shí)，利用從包含碳氟化合物氣體的第二處理氣體生成的第二等離子體對(duì)硅氧化膜進(jìn)行蝕刻，第二偏置電壓的電壓值的絕對(duì)值大于第一偏置電壓的電壓值的絕對(duì)值，第一偏置電壓和第二偏置電壓各自是直流電壓的脈沖的ON和OFF周期性地反復(fù)的脈沖波，脈沖的ON時(shí)間為0.5微秒以下。

技術(shù)研發(fā)人員：齊藤翔,昆泰光,酒屋典之
受保護(hù)的技術(shù)使用者：東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/29