本申請(qǐng)的實(shí)施例涉及封裝件及其形成方法。
背景技術(shù)：
1、半導(dǎo)體工業(yè)通過不斷減小最小部件尺寸來不斷改進(jìn)各種電子組件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度，這允許更多組件集成至給定區(qū)中。然而，隨著最小部件尺寸減小，出現(xiàn)了應(yīng)該解決的額外問題。例如，一個(gè)值得關(guān)注的問題是熱量的消散。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本申請(qǐng)的一些實(shí)施例提供了一種形成封裝件的方法，包括：在第一管芯上形成第一熱電組件；在第二管芯上形成第二熱電組件；以及將所述第一管芯和所述第二管芯連接至中介層，其中，將所述第一管芯和所述第二管芯連接至所述中介層將所述第一熱電組件和所述第二熱電組件電耦合至所述中介層。
2、本申請(qǐng)的另一些實(shí)施例提供了一種形成封裝件的方法，包括：在第一襯底上形成第一熱電結(jié)構(gòu)，包括：在所述第一襯底上沉積第一導(dǎo)電層；在所述第一導(dǎo)電層上形成多個(gè)n型區(qū)域；以及在所述第一導(dǎo)電層上形成多個(gè)p型區(qū)域；在第二襯底上形成金屬化組件，包括在所述第二襯底上沉積第二導(dǎo)電層；將所述第二導(dǎo)電層接合至所述第一熱電結(jié)構(gòu)；以及將所述第一襯底附接至包括導(dǎo)電部件的結(jié)構(gòu)，其中，所述第一導(dǎo)電層電連接至所述導(dǎo)電部件。
3、本申請(qǐng)的又一些實(shí)施例提供了一種封裝件，包括：第一半導(dǎo)體管芯，附接至中介層；第二半導(dǎo)體管芯，附接至所述中介層；第一熱電組件，位于所述第一半導(dǎo)體管芯的頂面上；以及第二熱電組件，位于所述第二半導(dǎo)體管芯的頂面上，其中，所述第一熱電組件通過所述中介層電連接至所述第二熱電組件。
1.一種形成封裝件的方法，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一熱電組件在所述第一管芯連接至所述中介層之前形成在所述第一管芯上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一熱電組件是熱電發(fā)電機(jī)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第二熱電組件是熱電冷卻器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：在所述第一管芯上形成第三熱電組件，其中，所述第三熱電組件電耦合至所述第一熱電組件。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：在所述第一管芯、所述第二管芯、所述第一熱電組件和所述第二熱電組件上方沉積模制材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述第一管芯上形成所述第一熱電組件包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述第一管芯上形成所述第一熱電組件包括：
9.一種形成封裝件的方法，包括：
10.一種封裝件，包括：